Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSH070N05TB1

RSH070N05TB1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
45 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
28 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSH070N05TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage45 V
Drain current7 A
Pulsed drain current28 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 7A; Idm: 28A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.