Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSH065N06GZETB

RSH065N06GZETB
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6.5 A
Pulsed drain current
26 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSH065N06GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current6.5 A
Pulsed drain current26 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance48 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.