Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSF014N03TL

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.4 A
Pulsed drain current
5.6 A
Рассеиваемая мощность
0.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSF014N03TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.4 A
Pulsed drain current5.6 A
Рассеиваемая мощность0.8 W
КорпусTUMT3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 5.6A; 800mW; TUMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.