Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSC002P03T316

RSC002P03T316
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-200 mA
Pulsed drain current
-0.25 A
Рассеиваемая мощность
0.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSC002P03T316
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-200 mA
Pulsed drain current-0.25 A
Рассеиваемая мощность0.2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.25A; 200mW

Документация

Документы пока не предоставлены.