ROHM SEMICONDUCTOR
RSB16F2T106
Фото уточняется
- Breakdown voltage
- 14.4 V
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Version
- ESD
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 12 V
- Leakage current
- 0.1 µA
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 51 121 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%29,74 ₽
Сумма · с НДС 22%8 803,04 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 296 | 29,74 ₽ | |
| от 300 | 23,07 ₽ | |
| от 500 | 21,16 ₽ | |
| от 1000 | 19,64 ₽ | |
| от 4000 | 18,49 ₽ | |
| от 10000 | 18,30 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RSB16F2T106 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Breakdown voltage | 14.4 V |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Version | ESD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 12 V |
| Leakage current | 0.1 µA |
| Number of channels | 2 |
| Ёмкость | 30 pF |
| Application | automotive industry |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
14.4V; bidirectional; ESD; Ch: 2; -55÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.