Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS7P150BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
150 A
Корпус
DFN5060-8
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%637,60 ₽

Сумма · с НДС 22%15 302,40 ₽

От 24 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 24637,60 ₽
от 30528,19 ₽
от 50507,44 ₽
от 100490,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS7P150BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current150 A
КорпусDFN5060-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge74nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 150A; DFN5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.