Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS7N200BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
80 V
Drain current
230 A
Power dissipation
180 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
2 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS7N200BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage80 V
Drain current230 A
Power dissipation180 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 80V; 230A; 180W

Документация

Документы пока не предоставлены.