Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS7N160BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
80 V
Drain current
160 A
Power dissipation
160 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
2.6 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 404 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%573,92 ₽

Сумма · с НДС 22%14 921,92 ₽

От 26 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 26573,92 ₽
от 30465,23 ₽
от 50442,35 ₽
от 100427,10 ₽
от 300373,71 ₽
от 500371,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS7N160BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage80 V
Drain current160 A
Power dissipation160 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge73nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 80V; 160A; 160W

Документация

Документы пока не предоставлены.