Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS7G200CGTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40V
Drain current
410A
Корпус
DFN5060-8
Gate-source voltage
±20V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS7G200CGTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40V
Drain current410A
КорпусDFN5060-8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge145nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 410A; DFN5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.