Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6R085CHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
85 A
Power dissipation
166 W
Корпус
HSOP8
On-state resistance
13.9 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%326,05 ₽

Сумма · с НДС 22%14 998,30 ₽

От 46 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 46326,05 ₽
от 50305,07 ₽
от 100287,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS6R085CHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current85 A
Power dissipation166 W
КорпусHSOP8
On-state resistance13.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 85A; 166W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.