Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6R060BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
60 A
Power dissipation
104 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS6R060BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current60 A
Power dissipation104 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 60A; 104W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.