Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6P100BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Power dissipation
104 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 132 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%329,86 ₽

Сумма · с НДС 22%14 843,70 ₽

От 45 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 45329,86 ₽
от 50306,98 ₽
от 100289,82 ₽
от 300251,68 ₽
от 500249,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS6P100BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Power dissipation104 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 100A; 104W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.