Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6N120BHTB1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
80 V
Drain current
135 A
Power dissipation
104 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS6N120BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage80 V
Drain current135 A
Power dissipation104 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 80V; 135A; 104W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.