Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6L120BGTB1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
150 A
Power dissipation
104 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 311 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%423,16 ₽

Сумма · с НДС 22%14 810,60 ₽

От 35 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 35423,16 ₽
от 50293,39 ₽
от 100278,35 ₽
от 300238,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS6L120BGTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current150 A
Power dissipation104 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 150A; 104W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.