ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6G122CHTB1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40 V
Power dissipation: 125 W
Корпус: HSOP8
On-state resistance: 1.2 mΩ
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RS6G122CHTB1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	40 V
Power dissipation	125 W
Корпус	HSOP8
On-state resistance	1.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	52nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 125W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.