ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS6G100BGTB1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 100 A
Power dissipation: 59 W
Корпус: HSOP8
Gate-source voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RS6G100BGTB1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	40 V
Drain current	100 A
Power dissipation	59 W
Корпус	HSOP8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	3.4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	24nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 59W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.