Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS3L110ATTB1

RS3L110ATTB1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-11 A
Pulsed drain current
-44 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS3L110ATTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-11 A
Pulsed drain current-44 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge115nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; Idm: -44A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.