Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS3L045GNGZETB

RS3L045GNGZETB
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.5 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 814 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%63,54 ₽

Сумма · с НДС 22%13 025,70 ₽

От 205 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20563,54 ₽
от 30053,79 ₽
от 50051,73 ₽
от 100050,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS3L045GNGZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current4.5 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance59 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 4.5A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.