Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS3G160ATTB1

RS3G160ATTB1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-16 A
Pulsed drain current
-64 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRS3G160ATTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-16 A
Pulsed drain current-64 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.