Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS3E130ATTB1

RS3E130ATTB1
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-13 A
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
8.5 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 693 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%173,95 ₽

Сумма · с НДС 22%14 611,80 ₽

От 84 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 84173,95 ₽
от 100157,23 ₽
от 300146,33 ₽
от 500144,27 ₽
от 1000128,11 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS3E130ATTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Drain current-13 A
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -13A; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.