Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS3E075ATTB

RS3E075ATTB
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-7.5A
Pulsed drain current
-30A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS3E075ATTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-7.5A
Pulsed drain current-30A
Power dissipation2W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance31mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.