Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1P600BHTB1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
35 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 913 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%385,08 ₽

Сумма · с НДС 22%14 633,04 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 38385,08 ₽
от 50268,62 ₽
от 100251,71 ₽
от 300240,44 ₽
от 500214,14 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS1P600BHTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current60 A
Рассеиваемая мощность35 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 60A; 35W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.