ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1P600BETB1

HSOP8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 60 A
Pulsed drain current: 70 A
Рассеиваемая мощность: 35 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RS1P600BETB1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	60 A
Pulsed drain current	70 A
Рассеиваемая мощность	35 W
Корпус	HSOP8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	9.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	33nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 70A; 35W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.