Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1L180GNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
68 A
Pulsed drain current
72 A
Рассеиваемая мощность
39 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRS1L180GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current68 A
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность39 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 72A; 39W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.