Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1L151ATTB1

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-56 A
Pulsed drain current
-60 A
Power dissipation
40 W

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяRS1L151ATTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-56 A
Pulsed drain current-60 A
Power dissipation40 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -56A; Idm: -60A; 40W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.