ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RS1L151ATTB1
HSOP8Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -56 A
- Pulsed drain current
- -60 A
- Power dissipation
- 40 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | RS1L151ATTB1 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -56 A |
| Pulsed drain current | -60 A |
| Power dissipation | 40 W |
| Корпус | HSOP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12.6 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 130nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -56A; Idm: -60A; 40W; HSOP8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.