Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1L120GNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
48 A
Рассеиваемая мощность
27 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRS1L120GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current36 A
Pulsed drain current48 A
Рассеиваемая мощность27 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 48A; 27W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.