TAIWAN SEMICONDUCTOR
Диод RS1J M2G
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 0.6 kV
- Load current
- 1 A
- Reverse recovery time
- 250ns
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 594 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%53,46 ₽
Сумма · с НДС 22%53,46 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 53,46 ₽ | |
| от 10 | 37,23 ₽ | |
| от 100 | 18,64 ₽ | |
| от 500 | 11,69 ₽ | |
| от 1000 | 8,78 ₽ | |
| от 2000 | 8,17 ₽ | |
| от 7500 | 7,60 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RS1J M2G |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 0.6 kV |
| Load current | 1 A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Ёмкость | 10 pF |
| Корпус | SMA |
| Max. forward voltage | 1.3 V |
| Max. forward impulse current | 30 A |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.