Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1G260MNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
80 A
Pulsed drain current
104 A
Power dissipation
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRS1G260MNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current80 A
Pulsed drain current104 A
Power dissipation35 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 104A; 35W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.