ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1G201ATTB1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -78 A
Pulsed drain current: -80 A
Power dissipation: 40 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RS1G201ATTB1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-78 A
Pulsed drain current	-80 A
Power dissipation	40 W
Корпус	HSOP8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	6.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	130nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -78A; Idm: -80A; 40W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.