Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1G180MNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
57 A
Pulsed drain current
72 A
Рассеиваемая мощность
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRS1G180MNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current57 A
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность30 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.