ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E350BNTB1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 35W
Корпус: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RS1E350BNTB1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	30V
Power dissipation	35W
Корпус	HSOP8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	1.7mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	185nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 35W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.