Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E320GNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
32 A
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRS1E320GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current32 A
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42.8nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 32A; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.