Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E281BNTB1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Корпус
HSOP8
On-state resistance
2.3 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Gate charge
94nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 980 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%114,09 ₽

Сумма · с НДС 22%14 945,79 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 131114,09 ₽
от 300102,95 ₽
от 500100,45 ₽
от 100088,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS1E281BNTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
КорпусHSOP8
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge94nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.