Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E260ATTB1

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
3.1 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 108 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%388,00 ₽

Сумма · с НДС 22%11 252,00 ₽

От 29 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 29388,00 ₽
от 50269,91 ₽
от 100254,91 ₽
от 300241,79 ₽
от 500215,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS1E260ATTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.