Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E240GNTB

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Рассеиваемая мощность
27 W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
3.3 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 800 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%100,69 ₽

Сумма · с НДС 22%14 700,74 ₽

От 146 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 146100,69 ₽
от 30089,79 ₽
от 50087,35 ₽
от 100077,20 ₽
от 400075,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS1E240GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Рассеиваемая мощность27 W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 27W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.