Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E200BNTB1

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
68 A
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%178,55 ₽

Сумма · с НДС 22%14 819,65 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 83178,55 ₽
от 100161,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRS1E200BNTB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current68 A
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 68A; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.