Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E150GNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
40A
Pulsed drain current
60A
Power dissipation
22W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS1E150GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current40A
Pulsed drain current60A
Power dissipation22W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13.3mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 60A; 22W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.