Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RS1E130GNTB

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30V
Power dissipation
22W
Корпус
HSOP8
Gate-source voltage
±20V
On-state resistance
11.7mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRS1E130GNTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30V
Power dissipation22W
КорпусHSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 22W; HSOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.