Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RRS050P03HZGTB

RRS050P03HZGTB
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-5 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 970 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%91,57 ₽

Сумма · с НДС 22%14 376,49 ₽

От 157 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15791,57 ₽
от 30080,90 ₽
от 50079,06 ₽
от 100069,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRRS050P03HZGTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Drain current-5 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -5A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.