ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RRQ030P03HZGTR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -3 A
Power dissipation: 1.25 W
Корпус: TSMT6
Gate-source voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RRQ030P03HZGTR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-3 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	TSMT6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	75 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -3A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.