Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RRQ030P03FRATR

RRQ030P03FRATR
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-3 A
Pulsed drain current
-12 A
Power dissipation
1.25 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяRRQ030P03FRATR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-3 A
Pulsed drain current-12 A
Power dissipation1.25 W
КорпусSOT457
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.25W; SOT457

Документация

Документ производителя