ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RRQ020P03TCR
TSMT6Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -2 A
- Power dissipation
- 1.25 W
- Корпус
- TSMT6
- Gate-source voltage
- ±20 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 5 000 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%38,56 ₽
Сумма · с НДС 22%8 753,12 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 227 | 38,56 ₽ | |
| от 300 | 28,68 ₽ | |
| от 500 | 26,97 ₽ | |
| от 1000 | 25,26 ₽ | |
| от 4000 | 24,12 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RRQ020P03TCR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -2 A |
| Power dissipation | 1.25 W |
| Корпус | TSMT6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.16 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -30V; -2A; 1.25W; TSMT6
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.