Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-14 A
Pulsed drain current
-56 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%684,79 ₽

Сумма · с НДС 22%684,79 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1684,79 ₽
от 10396,36 ₽
от 100331,23 ₽
от 250308,90 ₽
от 500288,43 ₽
от 750279,13 ₽
от 1000269,82 ₽
от 1200266,10 ₽
от 2000253,07 ₽
от 2500247,49 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRRH140P03GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-14 A
Pulsed drain current-56 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge150nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документ производителя