Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RRH100P03GZETB

RRH100P03GZETB
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-10 A
Pulsed drain current
-40 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRRH100P03GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-10 A
Pulsed drain current-40 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD

Документация

Документ производителя