ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RRF015P03TL
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -1.5 A
- Pulsed drain current
- -6 A
- Power dissipation
- 0.8 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 224 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%129,66 ₽
Сумма · с НДС 22%129,66 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 129,66 ₽ | |
| от 5 | 93,81 ₽ | |
| от 10 | 74,55 ₽ | |
| от 16 | 62,73 ₽ | |
| от 30 | 50,15 ₽ | |
| от 100 | 36,23 ₽ | |
| от 300 | 31,46 ₽ | |
| от 500 | 30,51 ₽ | |
| от 3000 | 28,60 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RRF015P03TL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -1.5 A |
| Pulsed drain current | -6 A |
| Power dissipation | 0.8 W |
| Корпус | SOT323 F |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.16 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 3.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 0.8W; SOT323F
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.