ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ7G080ATTCR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -8 A
Корпус: TSMT8
Gate-source voltage: ±20 V
On-state resistance: 18.2 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RQ7G080ATTCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-8 A
Корпус	TSMT8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	18.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -8A; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.