Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ7E110AJTCR

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
11 A
Power dissipation
1.5 W
Gate-source voltage
±12 V
On-state resistance
9 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 465 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%64,20 ₽

Сумма · с НДС 22%13 161,00 ₽

От 205 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20564,20 ₽
от 30054,33 ₽
от 50052,24 ₽
от 100050,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRQ7E110AJTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current11 A
Power dissipation1.5 W
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 11A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.