ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RQ7E100ATTCR
TSMT8Изображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -10 A
- Корпус
- TSMT8
- Gate-source voltage
- ±20 V
- On-state resistance
- 11.2 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 893 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%116,17 ₽
Сумма · с НДС 22%14 521,25 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 125 | 116,17 ₽ | |
| от 300 | 105,35 ₽ | |
| от 500 | 103,30 ₽ | |
| от 1000 | 91,37 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RQ7E100ATTCR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -10 A |
| Корпус | TSMT8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 11.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -30V; -10A; TSMT8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.