Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ6L035ATTCR

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-6.5 A
Pulsed drain current
-14 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRQ6L035ATTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-6.5 A
Pulsed drain current-14 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance87 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.5A; Idm: -14A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.