Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RQ6L020SPTCR

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-2 A
Pulsed drain current
-8 A
Power dissipation
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRQ6L020SPTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-2 A
Pulsed drain current-8 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance266 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.